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IS61WV204816B是一款并行RAM芯片。器件使用了高性能CMOS制造技术,电路也采用了创新的设计技术,器件在产生高性能的同时功耗较低。当COS为高电平时,设备将采用待机模式下的功耗,可以降低CMOS输入电平。
当器件为高电平时,将会采用待机模式,在该模式下,功耗可以随着CMOS输入电平的降低而降低。通过使用芯片使能和输出使能输入,能够轻松的提供内存扩展。低写入使能可以有效的控制存储器的写入和读取。数据字节允许高字节和低字节访问。
该器件采用48引脚TSOP封装,具有10ns、12ns的高速存取时间,适合用于便携式应用。
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【本文标签】IS61WV204816B 并行RAM ISSI芯片
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