DRAM市场回升，南亚科将投入更多研发资源

4月25日，南亚科董事长吴嘉昭表示，今年预期的DRAM市场售价有所回升，整体产业有望走出谷底并向上增长。南亚科将在 加速10纳米级制程技术与DDR5产品的开发领域投入更多的研发资源，同时规划建设新厂扩大产能。南亚科表示，已建置完成1A 制程试生产线，将持续致力于产品试产及良率提升，前导产品8Gb DDR4将在下半年开始送样认证及小批量生产；第二颗为下世代DDR5 ，也已经处于设计开发阶段，预计下半年开始试产。同时也将加快1B制程技术及产品开发时间。 
       除了10纳米级产品线外，南亚科也将持续优化20纳米产品组合，除增加DDR4 最高规格 3200Mbps在服务器及PCOEM客户认证，提升销售量外，也将加速20纳米低功率产品推广。 LPDDR4X 4267Mbps最高规格产品正认证中，未来目标市场包括便携型产品、汽车及工业等应用。 
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